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| 品牌 | 其他品牌 | 應用領域 | 綜合 |
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Beam Imaging離子槍系統真空組件
Beam Imaging Solutions （BIS） 提供兩種離子槍系統類型。每個噴槍都包括一個離子源組件、散熱器、加速和聚焦系統、垂直偏轉板、一個 6 英寸長的速度過濾器和一個速度過濾器保護環控制單元。組件組裝在裝有法蘭的真空外殼中，用于安裝到客戶的設備上。保護環控制單元可以安裝到標準的 19 英寸機架面板中。如果需要，可以訂購定制法蘭和附加端口。當噴槍需要光束減速器時，包括一個適配器法蘭（型號 G-1-D 和 G-2-D 離子槍）。Beam Imaging 還為上述離子槍系統提供控制單元（E 系列）。控制單元包括操作離子噴槍所需的所有電源以及用于離子源和真空計控制的冷卻裝置。所有離子束組件也可單獨或成套提供（離子源、散熱器、速度過濾器、提取和聚焦透鏡系統）。這些完整的套件稱為離子束套件。
G-1 型可在 500 eV 至 10 keV（可選 20keV）的能量范圍內運行。如果需要小于 500 eV 的離子束能量，我們建議使用 G-1-D 型，其中包括 400 型或 450 型減速器，可以產生能量低至 1 eV 的質量選擇離子束。G-1 系列型號的真空外殼由拋光不銹鋼管制成，直徑為 6 英寸，長約 19 英寸。長度包括 500 型絕緣子安裝法蘭。G-1-D 的總長度為 23 1/8 英寸，與 400 型或 450 型減速器一起使用。兩個離子槍外殼都配有一個 6“ ID 粗加工端口。G-1 和 G-1-D 型的標準出口法蘭是 8 英寸外徑和 6 英寸內徑的同平法蘭。然而，G-1-D 型在與減速器一起使用時有一個 2 3/4 英寸的出口法蘭（僅限 400 型）。G-1 和 G-1-D 型都適合真空至 10-7Torr 的 Var，而不是為 bakeout 設計的。
G-2 和 G-2-D 離子槍均設計為在 500 eV 至 10 keV（可選 20keV）能量范圍內運行。然而，G-2-D 離子槍有可選的 400 型或 450 型減速器，可在低至 1 eV 的電壓下使用。G-1 和 G-2 系列離子槍之間有兩個區別。G-2 離子槍設計為可烘烤至 200oC，用于超高真空 （UHV） 系統。速度過濾器上的磁線圈封裝在不銹鋼護套中，并采用液體冷卻，因此允許更高的電流和磁場強度。BIS 建議使用 CU-1 冷卻裝置進行磁體和離子源冷卻。G-2 和 G-2-D 的尺寸分別與 G-1 和 G-1-D 相同。G-2 和 G-2-D 的設計都適合真空到 10-9托。
| 分辨率 | 米/天 米 ~ 400 |
|---|---|
| 離子電流 | 高達 20 微安聚焦，100 微安非聚焦 |
| 離子源 （DC） | 燈絲 16 V – 20 A，陽極 0 – 150 V，0.4 A |
| 離子源 （RF） | 0-500 瓦，13.56 MhZ |
| 鏡頭系統 | 0 – 10 kV，1 mA 加速電壓，0 – 10 kV，0.5 mA 聚焦電壓 |
| 垂直偏轉板 | 0 – 400 伏，1mA |
| Velocity Filter Magnet | G-1 型：9.5 V，3 A，G-2 型：28 V，14 A 連續運行 |
| 速度過濾器偏轉板 | 0 – 350 V， 50 mA （浮動輸出） |
| 型 | G-1、G-1-D、G-2、G-2-D |
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