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德國Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測器面 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.50 mm² 探測器面積 TO18 封裝，密封，帶 1 個絕緣引腳和 1 個外殼引腳 在 280 nm（峰值靈敏度）處進行 10 μW/cm² 的照射，產(chǎn)生約 8 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測）
德國Sglux紫外光電二極管6H SiC 芯片 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 具有擴展 UVA 靈敏度的 6H SiC 芯片 0.20 mm² 探測器面積 扁平 TO5 封裝，密封，帶 1 個絕緣引腳和 1 個外殼引腳 在 290 nm（峰值靈敏度）處進行 10 mW/cm² 的照射，產(chǎn)生約 3200 nA 的電流
德國Sglux紫外光電二極管帶集中透鏡 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.20 mm² 探測器面積 符合 EN298（火焰監(jiān)測，包括 H2 燃燒器） 高 TO5 外殼，密封，帶 1 個絕緣引腳和 1 個外殼引腳 帶集中透鏡 在 280 nm（峰值靈敏度）下 10 μW/cm² 的照射產(chǎn)生約 16 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測）
德國Sglux紫外光電二極管扁平 TO5 封裝 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.20 mm² 探測器面積 扁平 TO5 封裝，氣密密封，帶 1 個絕緣引腳和 1 個外殼引腳，具有較大的開啟角度 在 280 nm（峰值靈敏度）下進行 10 mW/cm² 的照射可產(chǎn)生約 3200 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測）
德國Sglux紫外光電二極管0.20 mm² 探測器面 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.20 mm² 探測器面積 TO18 封裝，密封，帶 1 個絕緣引腳和 1 個外殼引腳 在 280 nm（峰值靈敏度）下進行 10 mW/cm² 的照射可產(chǎn)生約 3200 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測）
德國Sglux紫外光電二極管內(nèi)置擴散器 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.06 mm² 探測器面積 內(nèi)置擴散器 TO18 封裝，密封，帶 1 個絕緣引腳和 1 個外殼引腳 在 280 nm（峰值靈敏度）處以 10 mW/cm² 的照射產(chǎn)生約 123 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測）
德國Sglux紫外光電二極管二引腳 TO5 封裝 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.06 mm² 探測器面積 扁平 TO5 封裝，氣密密封，帶 1 個絕緣引腳和 1 個外殼引腳，具有較大的開啟角度 在 280 nm（峰值靈敏度）處進行 10 mW/cm² 的照射，產(chǎn)生約 960 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測）
德國Sglux紫外光電二極管0.06 mm² 探測面積 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.06 mm² 探測器面積 TO18 封裝，氣密密封，兩個絕緣引腳，一個額外的質(zhì)量 epin 在 280 nm（峰值靈敏度）處進行 10 mW/cm² 的照射，產(chǎn)生約 960 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測）
